膜厚儀
基于分析薄膜表面和界面反射光相干涉形成的反射譜，實(shí)現(xiàn)各種介質(zhì)保護(hù)膜、半導(dǎo)體薄膜、玻璃鍍膜等膜厚快速表征
- 詢價(jià)
一、產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
光學(xué)薄膜測(cè)量解決方案
非接觸、非破壞測(cè)量
覆蓋單層到多層薄膜
核心算法覆蓋薄膜到厚膜
配置靈活、支持定制化
多層薄膜解析能力
基于薄膜層上界面與下界面的反射光相干涉原理，輕松解析單層薄膜 到多層薄膜的特征
核心算法覆蓋薄膜到厚膜
配置強(qiáng)大核心分析算法：FFT分析厚膜、曲線擬合法分析薄膜的物理參數(shù)信息
二、產(chǎn)品案例
三、系列產(chǎn)品
四、技術(shù)規(guī)格
儀器類型 | 反射膜厚儀 | 反射透射測(cè)量?jī)x | ||
型號(hào) | SR-M | SR-C | SR-i | RT-V |
基本功能 | 反射率、膜厚、n/k等參數(shù) | 反射率、透射率、膜厚、n/k等參數(shù) | ||
分析光譜 | 400-800nm | 400-1000nm（支持定制化） | ||
膜厚測(cè)量范圍 | 50nm-40μm | 50nm-70μm | ||
單次測(cè)量時(shí)間 | 0.5~3s | ≤1s（支持定制化) | ||
重復(fù)性測(cè)量精度1 | 0.05nm | 0.2nm （100nm SiO2硅片，30次測(cè)量） | ||
測(cè)量精度 | 0.4%或2nm之間取較大者 | |||
光斑大小 | 10um/50um | 0.5-3mm | ||
入射角方式 | 垂直入射 | |||
基于連續(xù)1周，每天在硅基底對(duì)厚度為100nm的SiO2薄膜樣品連續(xù)測(cè)量30次所得厚度值計(jì)算標(biāo)準(zhǔn)差得出；
儀器具體技術(shù)參數(shù)需與實(shí)際功能模塊、配件有關(guān)，表中數(shù)據(jù)僅供參考。
